世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出兩款新型30V HEXFET® 功率 MOSFET，可將30V/45A兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET解決方案的輕負(fù)載效率提升2%，用來驅(qū)動筆記本電腦及其他高性能計(jì)算應(yīng)用中的Intel和AMD最新型處理器。

    這兩款新型無鉛器件分別是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF，通過優(yōu)化傳導(dǎo)、開關(guān)和體二極管損耗，可實(shí)現(xiàn)最佳的效率和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個控制和2個同步MOSFET的兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器電路芯片組。這組新型SO-8 MOSFET 還適用于其他采用PWM控制的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

    IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示：“中低功率水平下，高效率對筆記本電腦非常重要，因?yàn)樗鼈兪亲钪髁鞯碾姵仳?qū)動產(chǎn)品。我們的全新芯片組可以針對這方面的需要，在5－15A的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗，從而降低系統(tǒng)的工作溫度，這一點(diǎn)對便攜式計(jì)算也相當(dāng)重要。”

    新的芯片組包含一個控制MOSFET和一個同步MOSFET，每個器件都經(jīng)過專門設(shè)計(jì)，以發(fā)揮其最大效能。控制MOSFET具有更低的開關(guān)損耗（柵電荷），同步MOSFET則具有低傳導(dǎo)損耗（低導(dǎo)通電阻）及低逆向恢復(fù)電荷。

    IRF7823PbF是一款經(jīng)過優(yōu)化的控制場效應(yīng)管（FET），柵電荷（Qg）和柵-漏極電荷（Qgd）都非常低，分別只有9.1nC和3.2nC。

    IRF7832ZPbF對同步FET功能進(jìn)行了優(yōu)化，4.5V下的典型導(dǎo)通電阻極低，只有3.7mΩ，適用于高達(dá)12A的應(yīng)用環(huán)境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF現(xiàn)在均已供貨。以1萬片訂貨量計(jì)算，IRF7823PbF每片0.5美元，IRF7832ZPbF為0.88美元，價格會有所變動。兩種器件均為無鉛產(chǎn)品，符合有害物質(zhì)管理規(guī)定（RoHS）。基本規(guī)格如下：