世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3平方英寸的占板面積。

    IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出：“PoE卡的每個(gè)端口都需要有各自的MOSFET，IRF4000正好可以滿足這種需要。與使用單獨(dú)MOSFET的解決方案相比，它能大幅度減少零件數(shù)目，同時(shí)簡化制造工藝，可在48端口系統(tǒng)中節(jié)省36個(gè)插入元件。”

    IEEE 802.3af提出了在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中由電源設(shè)備通過局域網(wǎng)向用電裝置供電的標(biāo)準(zhǔn)。IR的這款新型MOSFET的工作類似一個(gè)熱交換場效應(yīng)管，在受控環(huán)境下，可將電力由電源設(shè)備輸送到用電裝置。由于它必須在線性區(qū)域工作，工作環(huán)境也非常嚴(yán)峻，因此必須設(shè)置一個(gè)高度穩(wěn)定的安全工作區(qū)域（SOA）。

    IRF4000采用低跨導(dǎo)硅技術(shù)，封裝熱阻約1°C/W，在線性區(qū)域工作時(shí)可高效地散發(fā)熱量。該器件經(jīng)過全面的電學(xué)和熱特性優(yōu)化，以適應(yīng)最苛刻的IEEE 802.3af工作條件，與獨(dú)立的SOT-223 MOSFET 相比，該器件安全工作區(qū)域增加56%，有效改善了系統(tǒng)的可靠性和耐熱性。

    IRF4000除了適用于48端口系統(tǒng)，還適用于96端口產(chǎn)品或更小型的12端口PoE 插頭模組。在各種情況下，每個(gè)IRF4000器件都可以取代4個(gè)端口。新器件已經(jīng)通過MSL三級認(rèn)證。

    IRF4000除了符合IEEE 802.3af規(guī)范，還能夠滿足即將問世的針對高功率負(fù)載的PoE Plus構(gòu)架的要求。

    IRF4000現(xiàn)已開始供貨，基本規(guī)格如下：